*  原厂地址：公司总部设在南昌，在上海，吉林，中国香港，曼彻斯特（英国）等地设立子公司并在全球其它地区拥有分支机构；

*  主要产品：公司主要开发，生产并销售双极性功率半导体器件。其系列产品被广泛应用于在全球市场上保持较高的竞争能力并拥有全球市场份额。产品包括可控硅、功率二极管、硅基、碳化硅功率MOS与二极管、硅基IGBT、TVS与ESD等；

*  应用领域：家电、电源、逆变器与新能源等领域；

*  知名度：a.  瑞能的可控硅产品名列中国第一，全球排名第二；b. 瑞能在碳化硅整流器的中国厂商中排名第一,全球排名第7。

      可控硅包括单向可控硅SCR和双向可控硅Triac.

       a. 瑞能半导体的所有可控硅器件使用平面工艺，提升了高电压和高温下的鲁棒性，同时具有好的动态性能以及防误触发能力。

        b. SCR是单向导通的可控硅器件。可以使用在低功率的应用比如漏电保护器，高功率的应用比如马达控制，电池充电器，开关电源以及UPS. 瑞能半导体的SCR的电流范围覆盖0.8A-126A, 电压覆盖200V-1600V, 能提供多种符合行业标准的封装。

       c. Triac是双向导通的可控硅器件，主要用来控制交流负载。瑞能半导体能提供四象限和三相限的产品，以及具有钳位电压功能的ACT和ACTT交流开关。双向可控硅主要应用于家电产品，包括马达控制，加热控制以及灯光控制。瑞能半导体的双向可控硅能覆盖电流0.2A-45A, 电压 600V-1000V, 并能提供符合行业标准的多种封装选择

   瑞能提供各类硅功率二极管。归类如下：

   a. 标准二极管 可用于 50Hz/60Hz 整流,旁路以及各种直流应用场合。瑞能的标准二极管针对最低VF 进行优化，电压范围涵盖600V到1600V，电流范围涵盖3A到60A，封装形式为各类工业标准封装（如TO220，TO220F，TO247，TO3PF，DPAK，D2PAK等等）。

    b. 快恢复二极管(FRD) 分为Hyperfast 二极管和Ultrafast二极管。为了在不同开关频率下，均能保证整个功率系统获得最佳效率，Hyperfast 二极管和Ultrafast二极管有多种不同的VF and trr 组合供终端客户进行选择。非常适合功率因校正 (PFC) 和开关电源(SMPS)种的高频应用。瑞能的快恢复二极管（FRD）电压范围涵盖100V到1200V，电流范围涵盖1A到75A，封装形式为各类工业标准封装（如TO220，TO220F，TO247，TO3PF，DPAK，D2PAK等等），SMD表贴封装以及插件封装。

     c. 肖特基管拥有最低的导通压降VF. 此外由于肖特基管的开关时间极短（无Trr）所以也非常适合各类高速开关应用的场合。肖特基管在绝大多数时候被用于开关电源(SMPS)变压器次级侧整流电路中。瑞能的肖特基管有各类封装可供选择。

        碳化硅功率器件在中高功率的应用中被广泛使用，这主要得益于化合物半导体的宽禁带以及良好的导热性能。

        a. 瑞能半导体的丰富的碳化硅二极管器件覆盖了从2A-40A， 650V-1200V的应用范围，同时具有多种封装形式包括SMD和插件封装。碳化硅二极管是速度非常快，正温度系数的二极管产品，适合于高功率密度的应用比如维也纳整流电路，PFC升压电路或者逆变电路。瑞能半导体一直在对其碳化硅二极管进行性能优化，最新的第六代的产品能提供很低的导通压降。

       b. 瑞能碳化硅 MOSFETs 即将发布，第一款碳化硅MOSFET为1200V电压等级，包含160 mΩ、80 mΩ、以及低至30mΩ的等多种规格，主要封装形式为TO247-3L、 TO247-4L及其他工业领域常见封装。650V电压等级碳化硅MOSFET也在开发计划中，主要包含30mΩ和60mΩ等规格。瑞能碳化硅MOSFET为增强型（常闭）器件，是目前诸如高频功率因数校正升压变换器的理想选择。

      a. 瑞能半导体能提供一系列的通过AEC-Q101验证的汽车级产品，适合于充电桩EV charger以及车载充电器OBC。

      b. 瑞能半导体的汽车级产品包括：单向可控硅(SCR)、快恢复硅基二极管(FRD)、碳化硅二极管(SiC Diodes)、碳化硅场效应管(SiC-MOSFET)。

     a. 瑞能半导体能提供三相整流桥模块。

     b. 基于硅基和碳化硅的更多的模块产品将陆续推出，同时瑞能半导体也能提供客制化的模块产品，对于客制化的需求请与销售团队联系。

     a. 瑞能半导体的IGBT产品使用先进的沟槽式场截止技术。

      b. 650V/50A的高速IGBT具有开关速度快，损耗低的特点，同时配合软回复的二极管能带来更好的EMI性能。适合用于 功率因素矫正电路，逆变电焊机，光伏以及UPS.

       a. 瑞能半导体的TVS管可用于电子线路中雷击浪涌或其他瞬态高压的防护。

       b. 瑞能的TVS管有各种封装和浪涌（峰值脉冲）功率等级供客户选择，可用于各类I/O接口和电源产品接口的保护。

           a. 功率金属氧化物场效应管(MOSFETs)是最常见的一种场效应晶体管 (FET) 类型。 它们在电路中充当电气开关和功率放大器，根据施加到栅极端子的电压控制源极和漏极之间流过的电量。 其简易的电压开启方式及快速的开关特性帮助工程师在电源和电机驱动产品上设计出更小尺寸、更轻重量的高效率产品。

      b. 功率 MOSFET 被广泛应用于各种应用，包括各种开关电源、电机驱动、消费电子和汽车电子。

     a. 瑞能半导体有丰富的NPN 双极型高压晶体管，电压覆盖700V-1200V, 电流覆盖 1A-12A, 封装形式多样。

      b. 瑞能半导体的高压晶体管具有开关速度快，放大倍数高以及损耗低的特点。应用上适用于开关电源，荧光灯和卤素灯的驱动。

      静电保护二极管可以提供系统级的ESD和EMI保护。瑞能半导体的静电保护器件能带来：

a. 满足IEC6100-4-2(ESD)的浪涌承受能力

b. 很低的结电容以及非常快速的保护响应

c. 很低的漏电流

d. 很低的钳位电压

       瑞能半导体可以提供丰富的静电保护器件，有多种封装可以选择，适合应用于多种应用比如家电，通信端口保护以及高速数据线保护等。