深圳朗睿实业有限公司
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* 非隔离驱动分高边、低边、高低边与半桥拓扑 * 本页显示的是数明的高边、低边、高低边产品 | ||
高边驱动 | ||
| 产品系列 | 简介 | 特点 |
| SiLM2660/61 电池充放电高边 NMOS 驱动器
| * SiLM2660/61电池充/放电控制是低功耗、高边N沟道FET驱动器； * 高边保护功能避免系统接地引脚断开连接，确保电池组和主机系统之间持续通信； * SiLM2660具有额外的PFET控制输出，允许对深度放电的电池进行低电流预充电，集成了用于主机监控的电池PACK+电压检测； * 独立的使能输入接口允许电池充放电FET分别导通和关断，为电池系统保护提供可靠性和设计灵活性。 | * 高边NFET驱动器，极短的开启和关闭时间，用于迅速保护电池； * 预充电PFET驱动器为深度耗尽的电池组提供电流限制的预充电功能(仅适用于SiLM2660)； * 充放电独立使能控制； * 基于外部电容器可扩展的电荷泵，可适用多颗NFET并联驱动； * 高输入耐压值（最大100V）； * 可配置电池组电压检测功能（仅适用于SiLM2660）； * 支持可配置的通用和独立充放电路径管理； * 低功耗：正常模式：40uA；待机模式：小于10uA。 |
| 竞品：BQ76200 规格书名称：1_SiLM266x_Datasheet(高边) | ||
| 低边驱动 | ||
| 产品系列 | 简介 | 特点 |
SLM27524 双通道 20V, 4.5A/5.5A 高速低边门极驱动器
| * SLM27524双通道高速低边门极驱动器，驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SLM27524将高峰值源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨的驱动能力、典型值仅为18ns的传播延迟； * SLM27524在12V的VDD供电情况下，4.5A峰值源电流和5.5A峰值灌电流。 | * 两路独立门极驱动 * 快速上升和下降时间(典型值为7ns和6ns) * 4.5V到20V的单电源范围 * VDD欠压闭锁功能 * 兼容TTL和COMS的输入逻辑电压阈值 * 输入端能承受负5V的电压 * 两通道之间典型值为2ns的匹配延时 * 支持并联来获得更高驱动电流 * 输入浮空时输出保持为低 * 输入输出同相 * 工作温度范围为-40°C 到 140°C * SOP8和MSOP8-EP封装选项 |
竞品：UCC27524;UCC27524A;UCC27524DR;NSD1025;UCC27424;2EDN7524;2EDN8524; IR4427;FAN3224;TC4424;TC4427;IRS4427;UCC27324;MIC4424;NCP81071B;SCT52240;TS6227 规格书名称：2、8、9_SLM2752x_Datasheet(低边)、2_SiLM27524N_Datasheet(低边) | ||
SiLM27512 单通道 20V, 4A/5A 高速低边门极驱动器
| * SiLM27512器件单通道高速低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SiLM27512将高峰值源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨的驱动能力、典型值仅为18ns的传播延迟； * SiLM27512在12V的VDD供电情况下，4A峰值源电流和5A峰值灌电流 | * 低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案 * 快速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns） * 4.5V 到 20V 的单电源范围 * VDD 欠压闭锁功能 * 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值 * 双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置) * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为 -40°C 到140°C * DFN3x3-6 的封装选项 |
| 竞品： UCC27512DRS 规格书名称：3_SiLM27512_Datasheet(低边) | ||
SiLM27273 单通道 20V, 4A/5A 高速低边门极驱动器
| * SiLM27273 系列是单通道高速低边门极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关； * SiLM27273 将高峰值源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨的驱动能力、典型值仅为18ns的传播延迟； * SiLM27273 在 12V 的 VDD 供电情况下， 4A 峰值源电流和5A峰值灌电流。 | * NPN,PNP分立器件替代方案，低功耗的门极驱动器 * 快速的上升和下降时间(典型值为7ns/5ns) * 4.5V到20V的单电源范围 * VDD欠压闭锁功能 * 兼容TTL和COMS的输入逻辑电压阈值 * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为-40°C 到 140°C * SOT23-5封装 |
| 竞品： 规格书名称：4_SiLM27273_Datasheet(低边) | ||
SiLM27519 单通道 20V, 4A/5A 高速低边门极驱动器  | * SiLM27519 器件是单通道高速低边门极驱动器，可驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关； * SiLM27519 将高峰值源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨的驱动能力、典型值仅为18ns的传播延迟； * SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况下，4A 峰值源电流和 5A 峰值灌电流。 | * 低成本门极驱动方案替代 NPN 和 PNP 分离器件方案 * 快速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns） * 4.5V 到 20V 的单电源范围 * VDD 欠压闭锁功能 * 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值 * 双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置) * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为 -40°C 到140°C * SOT23-5 封装选项 |
竞品：UCC27517;UCC27517A-Q1;UCC27517A；UCC27519A-Q1;UCC27519 规格书名称：5_SiLM27519_Datasheet(低边) | ||
SiLM27624 双通道 30V, 5A/5A 高速低边门极驱动器
| * SiLM27624 系列是双通道高速低边门极驱动器，它可以有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SiLM27624（H/L/M）将高峰值的源电流和灌电流提供给电容载，轨到轨的驱动能力、仅为20ns的传播延迟； * SiLM27624能够提供 5A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流，同时提供三种不同的UVLO选项（4.2V/8.5V/12.5V)。 | * 两路独立的门极驱动 * 快速的上升和下降时间（典型值为 7ns 和 6ns） * 4.5V 到 30V 的单电源范围 * VDD 欠压闭锁功能 * 兼容 TTL 和 COMS 的输入逻辑电压阈值 * 输入端能承受负 5V 的电压 * 两通道之间最大值为 2ns 的匹配延时 * 支持两通道的并联来获得更高的驱动电流 * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为 -40°C 到 150°C * 提供 SOP8 和 MSOP8-EP 的封装选项 |
竞品： UCC27524;UCC27524A;UCC27524DR;NSD1025;UCC27424;2EDN7524;2EDN8524; IR4427;FAN3224;TC4424;TC4427;IRS4427;UCC27324;MIC4424;NCP81071B;SCT52240;TS6227 规格书名称：6_SiLM27624_datasheet(低边) | ||
| SLM27526 双通道 20V, 4.5A/5.5A 高速低边门极驱动器
| * SLM27526 系列是双通道高速低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SLM27526将高峰值的源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨的驱动能力和典型值为18ns传播延迟； * SLM27526在12V的VDD供电情况下，4.5A峰值源电流和5.5A峰值灌电流。 | * 两路独立门极驱动 * 快速上升和下降时间(典型值为7ns和6ns) * 4.5V到20V单电源范围 * VDD欠压闭锁功能 * 兼容TTL和COMS的输入逻辑电压阈值 * 输入端能承受负5V的电压 * 两通道之间典型值为2ns的匹配延时 * 支持两通道并联来获得更高的驱动电流 * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为-40°C 到 140°C * DFN3x3-8封装选项 |
竞品： 规格书名称：7_SLM27526_Datasheet(低边) | ||
SLM27525 双通道 20V, 4.5A/5.5A 高速低边门极驱动器
| * SLM27525系列是双通道高速低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SLM27525将高峰值的源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨的驱动能力和典型值为18ns传播延迟； * SLM27525在12V的VDD供电情况下，4.5A峰值源电流和5.5A峰值灌电流。 | * 两路独立门极驱动 * 快速上升和下降时间(典型值为7ns和6ns) * 4.5V到20V的单电源范围 * VDD欠压闭锁功能 * 兼容TTL和COMS的输入逻辑电压阈值 * 输入端能承受负5V的电压 * 两通道之间典型值为2ns的匹配延时 * 支持两通道并联来获得更高的驱动电流 * 输入浮空时输出保持为低 * 通道A输入输出反向，通道B输入输出同相 * 工作温度范围为-40°C 到 140°C * SOP8和MSOP8-EP封装选项 |
竞品： FAN3225;TC4428;TC4425;UCC27425;2EDN7525;2EDN8525;IR4428;IRS4428;UCC27325;MIC4425;NCP81071C 规格书名称：8、9、2_SLM2752x_Datasheet(低边) | ||
| SLM27523 双通道 20V, 4.5A/5.5A 高速低边门极驱动器
| * SLM27523 系列是双通道高速低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SLM27523将高峰值的源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨驱动能力和典型值为18ns传播延迟； * SLM27523在12V的VDD供电情况下，4.5A峰值源电流和5.5A峰值灌电流。 | * 两路独立的门极驱动 * 快速的上升和下降时间(典型值为7ns和6ns) * 4.5V到20V的单电源范围 * VDD欠压闭锁功能 * 兼容TTL和COMS的输入逻辑电压阈值 * 输入端能承受负5V的电压 * 两通道之间典型值为2ns的匹配延时 * 支持两通道的并联来获得更高的驱动电流 * 输入浮空时输出保持为低 * 输入输出反向 * 工作温度范围为-40°C 到 140°C * SOP8和MSOP8-EP封装选项 |
竞品： UCC27523;SCT52242;FAN3223;TC4426;TC4423;UCC27423;2EDN7523;2EDN8523;IR4426 规格书名称：9_SiLM27523N_Datasheet(低边)、8、9、2_SLM2752x_Datasheet(低边) | ||
| SiLM27531H-AQ 单通道 30V, 5A/5A 高欠压保护阈值的高速低边门极驱动
| * SiLM27531H-AQ是一款输入电源高至30V，单通道输出的低边驱动器，能有效的驱动MOSFET和IGBT，内部能有效的避免驱动电路短路发生； * SiLM27531H-AQ轨对轨电流驱动能力、输入输出短至21ns的延时； * 在电源电压为18V的情况下，输出具备5A的拉电流和灌电流能力。 | * 低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案 * TTL和CMOS兼容输入逻辑阀值 * 反向和非反向输入配置 * 驱动电源范围从13.5V到30V * 输入悬空时，输出保持低电平 * 欠压闭锁 * 典型开通/关断延时：21ns/21ns * 典型上升/下降时间：9ns/8ns * 典型驱动电流：5A/5A |
| 竞品： UCC27531、UCC27531-Q1 规格书名称：10_SiLM27531HAQ_Datasheet(低边) | ||
| SiLM27517H 单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器
| * SiLM27517H 系列是单通道高欠压保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SiLM27517H 将高峰值的源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨驱动能力和典型值为 18ns 传播延迟； * SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下，4A 峰值源电流和 5A 峰值灌电流； * SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。 | * 低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案 * 快速的上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns） * 13.5V 到 20V 的单电源范围 * SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V * 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值 * 双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置) * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为 -40°C 到 140°C * SiLM27517H 提供 SOT23-5 的封装选项 |
竞品：UCC27517;UCC27517A-Q1;UCC27517A 规格书名称：11_SiLM27517H_Datasheet(低边)、11_SiLM27517H-AQ_Datasheet(低边) | ||
| SiLM27511H 单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器
| * SiLM27511H系列是单通道高欠压保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SiLM27511H 将高峰值的源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟； * SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下， 4A 峰值源电流和 5A 峰值灌电流； * SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。 | * 低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案 * 快速的上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns） * 13.5V 到 20V 的单电源范围 * SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V * 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值 * 双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置) * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为 -40°C 到 140°C * SiLM27511H 提供 SOT23-6 的封装选项 |
竞品： UCC27511;UCC27511A;UCC27511A-Q1 规格书名称：12_SiLM27511H-AQ_Datasheet(低边)、12_SiLM27511H_Datasheet(低边) | ||
| SLM27511 单通道 20V, 4A/5A 高速低边门极驱动器
| * SLM27511器件是单通道高速低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SLM27511将高峰值的源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨驱动能力和典型值为 18ns 传播延迟； * SLM27511在12V的VDD供电情况下，4A峰值源电流和5A峰值灌电流。 | * 低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案 * 快速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns） * 4.5V 到 20V 的单电源范围 * VDD 欠压闭锁功能 * 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值 * 双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置) * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为 -40°C 到140°C * 提供 SOT23-6 的封装选项 |
| 竞品： UCC27511;UCC27511A;UCC27511A-Q1 规格书名称：13_SLM27511_Datasheet(低边) | ||
| SLM27517 单通道 20V, 4A/5A 高速低边门极驱动器
| * SLM27517器件是单通道高速低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关； * SLM27517将高峰值的源电流和灌电流提供给电容负载，轨到轨驱动能力和典型值为 18ns 传播延迟； * SLM27517在12V的VDD供电情况下，4A峰值源电流和5A峰值灌电流。 | * 低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案 * 快速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns） * 4.5V 到 20V 的单电源范围 * VDD 欠压闭锁功能 * 兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值 * 双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置) * 输入浮空时输出保持为低 * 工作温度范围为 -40°C 到140°C * 提供 SOT23-5 的封装选项 |
| 竞品：UCC27517;UCC27517A-Q1;UCC27517A 规格书名称：14_SLM27517_Datasheet(低边) | ||
| 高低边驱动 | ||
| 产品系列 | 简介 | 特点 |
| SLM21814 600V, 2.5A/3.5A 高低边门极驱动器
| * SLM21814是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号； * 采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 低VCC工作范围 * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V逻辑兼容 * 输入有下拉电阻的COMS斯密特触发器 * 两通道间匹配传输延时 * 输入输出同相 * 典型开通/关断延时：180ns/200ns * 典型驱动电流：2.5A/3.5A |
竞品： UCC27714;IR21814(1.9/2.3A);IR21864(4A/4A);FAN7391;DGD21814; NSD1624-DSPKR 规格书名称：15_SiLM21814-AQ_Datasheet(高低边)、15_SLM21814_Datasheet(高低边) | ||
| SLM2106B 600V, 450mA/950mA 高低边驱动
| * SLM2106B是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号； * 采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V和15V逻辑兼容 * 两通道间匹配传输延时 * 典型开通/关断延时：160ns/220ns * 典型驱动电流：450mA/950mA * 输入输出同相 * SOP8封装 |
| 竞品： 规格书名称：16_SLM2106B_Datasheet(高低边) | ||
| SLM2110 600V, 1000mA/1600mA 高低边门极驱动器
| * SLM2110是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号； * 采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通，延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V和15V逻辑兼容 * 逻辑地和功率地能承受±5V偏置 * 防止交叉导通逻辑 * 输入有下拉电阻的COMS斯密特触发器 * 逐周期边缘触发的关闭逻辑 * 两通道间匹配传输延时 * 输入输出同相 * 典型开通/关断延时：140ns/140ns * 典型驱动电流：1A/1.6A |
| 竞品：IR2110S;FAN7392M;DGD2110 规格书名称：17_SLM2110_Datasheet(高低边) | ||
SLM21867 600V, 2.5A/3A 高低边门极驱动器
| * SLM21867是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号； * 采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 低VCC工作范围 * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从7V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V逻辑兼容 * 输入有下拉电阻的COMS斯密特触发器 * 两通道间匹配传输延时 * 输入输出同相 * 典型开通/关断延时：170ns/170ns * 典型驱动电流：2.5A/3.5A |
| 竞品： UCC27710;IRS21867S;NCV57200 规格书名称：18_SLM21867_Datasheet(高低边) | ||
| SLM2186 600V, 2.5A/3A 高低边门极驱动器
| * SLM2186是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号； * 采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通，延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 低VCC工作范围 * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V逻辑兼容 * 输入有下拉电阻的COMS斯密特触发器 * 两通道间匹配传输延时 * 输入输出同相 * 典型开通/关断延时：170ns/170ns * 典型驱动电流：2.5A/3A |
竞品：IR2186;FAN7191;FAN7390;NCP5183;NSD1624;DGD2190M;NCV5183 规格书名称：19_SiLM2186-AQ_Datasheet(高低边)、19_SLM2186_Datasheet(高低边) | ||
| SLM2181 600V, 450mA/950mA 高低边门极驱动器
| * SLM2181高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，独立的高低边输出驱动信号； * 采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通，延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 低VCC工作范围 * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V逻辑兼容 * 输入有下拉电阻的COMS斯密特触发器 * 两通道间匹配传输延时 * 输入输出同相 * 典型开通/关断延时：150ns/220ns * 典型驱动电流：450mA/950mA |
| 竞品： IR2181;FAN73901;L6498;DGD2181 规格书名称：20_SLM2181_Datasheet(高低边) | ||
| SiLM27212 270V 4A/4A 集成自举二极管高低边门极驱动
| * SiLM27212高频信号输入高低边N沟道MOSFET驱动器，含耐压270V的自举二极管，独立高低边输出驱动信号； * SiLM27212用于半桥、全桥、双管正激和有源钳位正激等电源拓扑电路。高低边独立控制，且开关关断匹配延迟短至2ns； * SiLM27212内置自举二极管，简化系统设计和应用； * SLM27212提供高低平欠压保护，驱动电压低于阈值时输出为低。 | * 高低边分别配置驱动N型MOSFET * 最大引导电压达270V直流 * 驱动电源范围从7V到17V * 欠压闭锁 * 两通道间匹配传输延时 2ns * 典型开通/关断延时：35ns/35ns * 典型上升/下降时间：7ns/5ns * 典型驱动电流：3A/4.5A |
竞品： UCC27211;UCC27200;UCC27201;UCC27201A;HIP2101;ISL2111;MP18021;MIC4104:UCC27282 规格书名称：21_SiLM27212_Datasheet(高低边) | ||
| SLM27211 120V, 3A/4.5A 集成自举二极管高低边门极驱动器
| * SLM27211是高低边高频门极驱动器，集成了120V的自举二极管，独立高、低边驱动，可用于半桥、全桥、双管正激和有源钳位正激等拓； * SLM27211有极好开通、关断延时匹配，匹配时间达到 2ns； * SLM27211片上集成的自举二极管省去了外部分立二极管的使用； * SLM27211还提供高低边欠压保护，驱动电压低于阈值时输出为低。 | * 可驱动高、低边配置中的 2 颗 N 沟道 MOSFET * 输入引脚支持独立的电压范围 * 支持最高 120V 的自举电压 * 支持 8V 到 17V 的 VDD 工作电压范围 * 4.5A 灌电流和 3A 源电流驱动能力 * 1000pF 的负载下 7ns 的上升时间和 5ns 的下降时间 * 22ns（典型）传播延迟时间 * 高低边欠压保护 * 2ns 的延迟匹配 * 支持 -40℃ ~125℃ 的结工作温度 |
竞品： UCC27211;UCC27200;UCC27201;UCC27201A;HIP2101;ISL2111;MP18021;MIC4104;UCC27282 规格书名称：22_SLM27211_Datasheet(高低边) | ||
