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非隔离驱动：分高边、低边、高低边与半桥拓扑 本页显示的是数明的半桥驱动产品系列与说明 | ||
| 半桥驱动 | ||
| 产品系列 | 简介 | 特点 |
SiLM2004E 200V低压驱动芯片
| * SiLM2004E高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 18V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290 mA/600 mA * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 通过无铅认证 * SOP-8 封装 * 开通/关断延时：680ns/125ns * 死区时间：520ns |
| 竞品： 规格书名称：1_SiLM2004E_Datasheet(半桥) | ||
SiLM2024 200V, 290/600mA 半桥驱动
| * SiLM2024 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V、15V逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290mA/600mA * 典型的开通/关断延时：680 ns/150 ns * 死区时间：520 ns * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输入关闭引脚 * SOP-8 封装 |
| 竞品： EG2003;FD2103;U3115S 规格书名称：2_SiLM2024_Datasheet(半桥) | ||
| SiLM2023 200V, 290/600mA 半桥驱动
| * SiLM2023 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 为自举操作设计的浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V、15V逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290mA/600mA * 典型的开通/关断延时：680 ns/150 ns * 死区时间：520 ns * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 高边输出信号与输入信号同相 * 低边输出信号与输入信号反相 * 提供 SOP-8 封装选项 |
| 竞品： 规格书名称：3_SiLM2023_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2304S 600V, 130mA/270mA 高压半桥驱动
| * SLM2304S高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供相互依存的高边、低边输出驱动信号； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 自举供电设计浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V，15V逻辑兼容 * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延时 * 典型驱动电流：130mA/270mA * 高边输入输出同相 * 低边输入输出反向 * 典型开通/关断延时：160ns/230ns * SOP8封装 |
| 竞品： 规格书名称：4_SLM2304S_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2101S 600V, 130mA/270mA 高压半桥驱动
| * SLM2101S高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供相互依存的高边、低边输出驱动信号； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 延时匹配很方便应用于高频设备。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V，15V逻辑兼容 * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延时 * 典型驱动电流：130mA/270mA * 高边输入输出同相 * 低边输入输出反向 * 典型开通/关断延时：160ns/220ns * SOP8封装 |
| 竞品： 规格书名称：5_SLM2101S_Datasheet(半桥) | ||
SLM21364 600V 200/350mA高压三相半桥驱动芯片
| * SLM21364是一款高压、高速的三相功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 通过检测外部电流电阻上电流，过流保护功能能够关断所有输出； * 使能引脚能同时控制6路输出开通或关断； * 提供漏极开路的故障信号指示过流或者欠压关闭发生； * 通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程延时后，过流故障条件自动清除； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 自举供电设计浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 高低边输入输出同相 * 3.3V，5V逻辑兼容 * 低di/dt门极驱动抗干扰能力强 * 双通道的匹配延时 * 外部可编程延时的自动故障清理 * 典型死区时间：290ns * 典型开通/关断延时：350ns/400ns * 典型驱动电流：200mA/350mA * SOP28W封装 |
| 竞品： IR21364;FAN73896;FAN73895 规格书名称：6_SLM21364_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2136 600V 200mA/350mA 高压三相半桥驱动芯片
| * SLM2136高压、高速的三相功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 通过检测外部电流电阻上电流，过流保护功能能够关断所有输出； * 使能引脚能同时控制6路输出开通或关断； * 提供漏极开路的故障信号指示过流或者欠压关闭发生； * 通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程延时后，过流故障条件自动清除； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 自举供电设计浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 高低边输入输出反向 * 3.3V，5V和15V逻辑兼容 * 低di/dt门极驱动抗干扰能力强 * 双通道的匹配延时 * 外部可编程延时的自动故障清理 * 典型死区时间：290ns * 典型开通/关断延时：480ns/370ns * 典型驱动电流：200mA/350mA * 封装：SOP28W |
| 竞品：IR2136;FAN73893;FAN73894 规格书名称：7_SLM2136_datasheet(半桥) | ||
SLM7888 160V, 350mA/650mA 低压三相半桥驱动
| * SLM7888高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供三个独立的高边、低边输出驱动信号便于用于三相电路； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 当VDD或VBS低于门限指标电压时，欠压闭锁电路防止功能失效； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达160V。 | * 自举供电设计浮动通道 * 全电压范围运行达160V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V和15V逻辑兼容 * 低di/dt门极驱动抗干扰能力强 * 典型死区时间：270ns * 典型开通/关断延时：100ns/110ns * 典型驱动电流：350mA/650mA |
| 竞品： FAN7888 规格书名称：8_SLM7888_Datasheet(半桥) | ||
SLM2184S 600V, 450mA/950mA 高压半桥驱动
| * SLM2184S高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V和15V逻辑兼容 * 具有防止交叉导通功能 * 两通道间匹配传输延时 * 内部设置死区时间 * 输入关闭管脚可关断双通道 * 典型死区时间：520ns * 典型开通/关断延时：680ns/200ns * 典型驱动电流：450mA/950mA * SOP8封装 |
| 竞品： 规格书名称：9_SLM2184S_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2106S 600V, 290mA/600mA高压半桥驱动
| * SLM2106S高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立的高边、低边输出驱动信号； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V | * 自举供电设计浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V和15V逻辑兼容 * 两通道间匹配传输延时 * 防止交叉导通逻辑 * 典型开通/关断延时：160ns/220ns * 典型驱动电流：290mA/600mA * 输入输出同相 * SOP8，SOP14封装 |
竞品：UCC27710;IR2106;IR2106S;NCV5106;NCP5106;FAN7382M;DGD2101;DGD2106M;DGD2101M 规格书名称：10_SLM2106S_Datasheet(半桥) | ||
SLM2104S 600V, 290mA/600mA高压半桥驱动
| * SLM2104S高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供相互依存的高边、低边输出驱动信号； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 为自举供电设计的浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V,15V逻辑兼容 * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延时 * 输入关闭引脚关断双通道 * 内部设定死区：520ns * 典型开通/关断延时：680ns/180ns * 典型驱动电流：290mA/600mA * SOP8封装 |
| 竞品： IR2104;FAN7080;DGD2104 规格书名称：11_SLM2104S_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2103S 600V, 290mA/600mA 高压半桥驱动
| * SLM2103S高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供相互依存的高边、低边输出驱动信号； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 延时匹配很方便应用于高频设备； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。 | * 自举供电设计浮动通道 * 全电压范围运行达600V * 允许瞬态负电压，不受dV/dt影响 * 驱动电源范围从10V到20V * 欠压闭锁 * 3.3V，5V，15V逻辑兼容 * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延时 * 典型驱动电流：290mA/600mA * 内部设定死区：520ns * 高边输入输出同相 * 低边输入输出反向 * 典型开通/关断延时：680ns/150ns * SOP8封装 |
| 竞品：IR2103S;IRS2108;DGD2103M;DGD2108;DGD21032 规格书名称：12_SLM2103S_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2005E 200V低压驱动芯片
| * SLM2005E 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 18V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：1A/1.5A * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输出信号与输入信号同相 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装 * 典型的开通/关断延时：150ns/150ns * 死区时间：110ns |
| 竞品： 规格书名称：13_SLM2005E_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2003E 200V低压驱动芯片
| * SLM2003E 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 为自举操作设计的浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 18V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290 mA/600 mA * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输出信号与输入信号同相 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装 * 典型的开通/关断延时：125ns/125ns * 死区时间：500 ns |
| 竞品： 规格书名称：14_SLM2003E_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2015 160V低压驱动芯片
| * SLM2015 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 18V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：1A/1.5A * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输出信号与输入信号同相 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装选项 * 典型的开通/关断延时：150 ns/150 ns * 死区时间：110 ns |
| 竞品： 规格书名称：15_SLM2015_Datasheet(半桥) | ||
| SiLM2014A 200V低压驱动芯片
| * SiLM2014A 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 18V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：1A/1.5A * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输出信号与输入信号同相 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装选项 * 典型的开通/关断延时：260 ns/150 ns * 死区时间：150 ns |
| 竞品： 规格书名称：16_SiLM2014A_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2009 200V低压驱动芯片
| * SLM2009 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 18V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：1A/1.5A * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输出信号与输入信号同相 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装选项 * 典型的开通/关断延时：150 ns/150 ns * 死区时间：110 ns |
| 竞品： LM5109B;IRS2001;FAN7842;DGD2005 规格书名称：17_SLM2009_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2005S 200V低压驱动芯片
| * SLM2005S 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 为自举操作设计的浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290 mA/600 mA * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输出信号与输入信号同相 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装选项 * 典型的开通/关断延时：160 ns/220 ns * 延时匹配：60 ns |
| 竞品： 规格书名称：18_SLM2005S_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2004S 200V低压驱动芯片
| * SLM2004S 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290 mA/600 mA * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装选项 * 典型的开通/关断延时：680 ns/180 ns * 死区时间：520 ns |
| 竞品： 规格书名称：19_SLM2004S_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2003S 200V低压驱动芯片
| * SLM2003S 高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290 mA/600 mA * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装选项 * 典型的开通/关断延时：680 ns/150 ns * 死区时间：520 ns |
| 竞品： 规格书名称：20_SLM2003S_Datasheet(半桥) | ||
| SLM2001S 200V低压驱动芯片
| * SLM2001S高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器； * 单芯片驱动方案； * 逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑； * 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通； * 浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。 | * 自举操作设计浮动通道 * 完全运行时电压高达 200V * 容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响 * 驱动电源范围从 10V 到 20V * 欠压闭锁 * 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容 * 驱动电流 ：290 mA/600 mA * 防止交叉导通逻辑 * 两通道间匹配传输延迟 * 输出信号与输入信号同相 * 通过无铅认证 * 提供 SOP-8 封装选项 * 典型的开通/关断延时：160 ns/220 ns * 延时匹配：60 ns |
| 竞品：LM5109B;IRS2001;FAN7842;DGD2005 规格书名称：21_SLM2001S_Datasheet(半桥) | ||
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